半導(dǎo)體芯片冷熱沖擊試驗(yàn)方法高低溫沖擊試驗(yàn)箱：

目的：

芯片在生產(chǎn)過(guò)程中，需要對(duì)其進(jìn)行冷熱沖擊試驗(yàn)。一般情況下，民用芯片的正常工作溫度范圍是 0℃-70℃，其他芯片性能更高，正常工作溫度范圍是 -55℃-125℃。以上溫度范圍都是芯片工作下的溫度范圍，當(dāng)芯片不工作時(shí)，可以承受超過(guò) 200℃ 的焊接溫度。

試件：

將試件芯片通電置于置物架上;

根據(jù)要求設(shè)定試驗(yàn)溫度:

首先對(duì)試件進(jìn)行低溫試驗(yàn)，再進(jìn)行高溫試驗(yàn)，循環(huán)次數(shù)依要求進(jìn)行:記錄半導(dǎo)體芯片工作狀態(tài)下，在設(shè)定溫度下的相關(guān)參數(shù)，對(duì)產(chǎn)品分析，工藝改進(jìn)以及批次的定向品質(zhì)追溯提供確實(shí)的數(shù)據(jù)依據(jù)。

試件從低溫或是高溫試驗(yàn)開(kāi)始，不同標(biāo)準(zhǔn)有不同的解析。若試驗(yàn)從低溫段開(kāi)始，試驗(yàn)結(jié)束在高溫段，若試驗(yàn)從高溫段開(kāi)始，結(jié)束在低溫段。為防止試件在試驗(yàn)結(jié)束后表面產(chǎn)品凝露，試驗(yàn)結(jié)束在低溫段時(shí)需要增加烘干恢復(fù)的過(guò)程，這樣就增加了試驗(yàn)周期，建議試驗(yàn)從低溫段開(kāi)始，結(jié)束在高溫段。

溫度范圍：-65℃～150℃

低溫沖擊：-40℃，-55℃，-65℃

高溫沖擊：65℃，85℃，125℃

溫度沖擊時(shí)間小于3min，1min

溫度保持時(shí)間30min，60min

測(cè)試時(shí)間不能少于1000個(gè)循環(huán)

熱壓器/無(wú)偏壓 HAST測(cè)試 參考標(biāo)準(zhǔn)：JESD22-A118

溫度范圍：100℃～143℃

濕度范圍：70%RH～100%RH

壓力范圍：0.5kg～3.5kg

測(cè)試時(shí)間不能少于200小時(shí)，具體根據(jù)用戶(hù)實(shí)際要求，有些需要達(dá)到500小時(shí)到1000小時(shí)等不同時(shí)間

其他測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：GB/T 2423.1-2001 試驗(yàn)A：低溫試驗(yàn)方法，試驗(yàn)B：高溫試驗(yàn)方法，GJB 150.3-1986 高溫試驗(yàn)， 低溫試驗(yàn)， GB 11158《高溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件》， IEC60068-2-14 等測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。